"电荷泵"一词也有用在锁相环（PLL）电路中，不过作用不同。锁相环中的电荷泵只是双极性的切换式电流源，因此可以输出正负交换的电流脉冲给锁相环的滤波电路，但其电压只能在电源和地点之间，无法产生超过电源或低于地点的电压。

 

电荷泵常见的应用是RS-232信号转换IC，可以从单一的5V或3V电源供应器产生正负电压（多半是+10V及-10V）。

 

电荷泵也可以用在LCD或是白光LED的驱动电路，从单一电源（例如电池）产生高偏压的电压。

 

电荷泵广泛应用在NMOS的内存及微处理器中，用来产生连接到IC基层（Substrate）的负电压VBB（约-3V）。这可以确保N+至基层的结点（junction）都有3V甚至更高的逆向偏压，可以降低结点电容，并且提升电路的速度。

 

到2007年为止，几乎所有的EEPROM及快闪存储器（flash memory）都已整合了电荷泵电路。这类的芯片在记忆单元写入新的值前，需要用高电压的脉冲先清除该区块已有的资料。早期的EEPROM及快闪存储器需要二种电源：用来读取资料的+5V以及用来清除资料的+12V。截至2007年，市面上可购得的EEPROM及快闪存储器都只需要一组电源，多半是1.8V或3.3V。而清除记忆区块需要的高电压则由芯片中的电荷泵自行产生。

 

在由n通道的功率MOSFET或绝缘栅双极晶体管（IGBT）组成的H桥电路中，电荷泵也用在H桥high side功率元件的栅极驱动器上。当H桥其中一只中心点为低电压时，会经由二极管向电容器充电，之后充电的电荷会来让high side的栅极比电源电压高一些，好让功率元件导通。假设H桥正常切换的情形下，上述的作法可以正常工作，免去了另一个独立的电源供应器，也让开关可以使用效率更好的n通道元件。这种电路（需要周期切换high side功率元件）也称为bootstrap电路，有时也和电荷泵电路会有些差异。

 

更多电荷泵内容，请访问欧时电子。